DFW高压电缆分支箱10KV高压开关柜

DFW高压电缆分支箱10KV高压开关柜技术要求
5.1设备型式：每台柜为可安装在地面上的框架型SF6气体绝缘开关柜外壳为金属铠装，或为类似于GIS结构的开关柜并可逐一安装。每种开关柜应有相对独立、相互隔离的断路器气室、母线气室、控制小室及电缆小室组成。断路器气室及母线气室均应在制造厂内完成组装后总装于开关柜内。因现场环境所限及环保要求，SF6气体必须按相关标准，以制造厂内充气的方案为佳。如厂家有特殊要求，必须在现场充气，需提供相配套的SF6气体回收装置及充气装置。如厂家结构与要求有所差异，厂家务必单独列明差异。
5.2本规范用于220kV升压站37kV开关柜，升压站接线方式为220kV侧单母线接线，37kV侧为单母线分段接线。本项目要求开关柜、断路器、真空泡为同一品牌的国际**产品。
使用方式及环境
环境温度： -25℃～+45℃。
相对湿度：≤90%(无凝露)。
适用于海拔高度＜1200m。
水平加速度≤0.2g
垂直加速度≤0.1g
2.系统条件要求
系统额定频率：50Hz
系统标称电压： 15kV
系统较高运行电压：  17.5kV
导体对地或金属屏蔽之间的额定工频电压(U0)： 8.7kV
电缆额定电压U0/U采用8.7/15 kV。
三芯电缆允许较小弯曲半径10D（D表示电缆外径）。
3.导体
导体表面应光洁、无油污、无损伤屏蔽及绝缘的毛刺、锐边，无凸起或断裂的单线。导体应为圆形单线绞合紧压导线，紧压系数不小于0.9。铜导体材料为符合GB/T 3956 的**种或*二种裸退火铜导体（铜的纯度≥99.9%）每一根导体20℃时的直流电阻应不**过GB/T 3956 规定的相应的较大值，导体单线根数不得小于GB/T 3956当中的规定的较小值。
4.挤出交联工艺
导体屏蔽、绝缘、绝缘屏蔽应采用三层共挤工艺，全封闭化学交联。应注明交联工艺全过程是否配置偏心度测量装置。
5.导体屏蔽
导体屏蔽由半导带和挤包半导电层复合组成，先绕包半导电带，然后再挤入半导电层屏蔽。挤包半导电层应均匀地包覆在导体上，和绝缘紧密结合，表面光滑，无明显绞线凸纹，不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。在剥离导体屏蔽时，半导电层不应有卡留在导体绞股之间的现象。导体屏蔽电阻率不**过1000Ω•m，导体屏蔽标称厚度应为0.8mm，较薄处厚度不小于0.7mm。
6.绝缘
15kV电缆选用交联聚乙烯（XLPE）绝缘电缆，绝缘标称厚度为4.5mm，绝缘厚度平均值应不小于标称值，任一点较小测量厚度应不小于4.05mm，三层共挤后偏心度不应大于8%。其中：较大绝缘厚度和较小绝缘厚度为同一截面上的测量值。
7.绝缘屏蔽
绝缘屏蔽为挤包的可剥离半导电层，半导电层应均匀地包覆在绝缘上，表面应光滑，不应有尖角、颗粒、炼焦或擦伤的痕迹。绝缘屏蔽宜为可剥离型，绝缘半导电层的标称厚度0.8mm，较小厚度为0.6mm，绝缘屏蔽电阻率不大于500Ω·m。
三芯电缆半导电层与金属层之间应有沿缆芯纵向的相色（黄绿红）标志带，其宽度应不小于2mm。
8.金属屏蔽
金属屏蔽采用铜带屏蔽。金属屏蔽的标称截面应满足短路电流容量要求。绕包应圆整光滑，无氧化现象。三芯屏蔽应互相接触良好。铜带导电率应与铜导体导电率相当。铜带的连接应采用电焊或气焊，保证连接可靠，不得采用锡焊或机械搭接，并满足短路温度要求。
铜带屏蔽由一层重叠绕包的软铜带组成，也可采用双层铜带间隙绕包，铜带间的平均搭盖率应不小于15％。
铜带标称厚度应按下列要求选用：
三芯电缆：≥0.10mm。
9.内衬层及填充物
缆芯采用非吸湿性材料PVC绳或网状聚丙烯填充，应紧密无空隙。缆芯中间也应填充，三芯成缆后外形应圆整。
内衬层的材料应适合电缆的运行温度和电缆材料相兼容，可采用聚氯乙烯、聚乙烯或半导电材料，其标称厚度应符合 GB/T 12706.2 * 8 章规定，缆芯在挤包内衬前可采用合适的带子以间隙螺旋的方式绕包扎紧。填充物的机械性能应能满足正常运行的要求。常用三芯电缆内衬层厚应不小于下表所列值：
选用挤包内衬层，采用非吸湿材料，挤包内衬层厚度符合GB/T12706.2 的要求。用于内衬层和填充物材料应适合电缆的运行温度并和电缆绝缘材料相兼容。
DFW高压电缆分支箱10KV高压开关柜